干法去胶和湿法去胶有什么区别？工艺路线对比

两种去胶方式

去胶是芯片制造的常规工序，目标只有一个：把完成任务的光刻胶从晶圆表面清除。实现方式分两种。湿法去胶把晶圆浸泡在化学药液里，利用药液溶解胶层；干法去胶则把晶圆放进真空腔体，通入反应气体并激发等离子体，让光刻胶和等离子体发生反应，分解成可抽走的气体。一个在液体里完成，一个在真空里完成，这是两者最直观的区别。

性能差异在哪里

干法路线的长处在于精细。等离子体反应的参数可以精确调控，对晶圆表面图形区的损伤更小，颗粒污染更容易控制，适合线宽不断缩小的先进制程。湿法路线药液成本低、设备结构相对简单，但化学药液可能侵蚀某些金属层，废液处理也是负担，在先进节点上的应用受到限制。

制程越往前走，干法的优势越明显。屹唐半导体的干法去胶设备用于90纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM以及32层到128层3D闪存的制造，覆盖的正是对去胶工艺要求最苛刻的领域。

市场跟着技术路线走

先进产线的主流选择落在干法上，设备供应商的竞争也集中在这里。据Gartner统计，2023年全球干法去胶设备市场规模约6.3亿美元，屹唐半导体以34.60%的份额排名第二。湿法去胶设备则更多服务于成熟制程和部分封装环节。对想理解屹唐产品价值的读者来说，先弄清干湿两条路线的分工，再看它的市占率，逻辑就顺了。