化合物半导体与光芯片晶圆解理划片的工艺痛点磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）以及氮化镓（GaN）等化合物半导体晶圆，具有极高脆性与特定的晶格解理方向。在光电子芯片（如DFB激光器、FP激光器、探测器）制造中，发光端面的解理质量直接决定了激光器的腔面反射率与光学性能。传统刀具砂轮划片易产生微裂纹、崩边（Chipping）及硅粉尘污染；而普通表面激光切割会导致热影响区（HAZ）过大，破坏发光波导
硅光子芯片高密度多通道光耦封装的技术挑战硅光子（SiliconPhotonics）芯片将光学器件与电子元件集成在硅基底上，已成为800G/1.6T超高速数据中心光模块及CPO（共封装光学）架构的核心技术路线。由于硅光芯片波导尺寸极小（通常仅为数百纳米），其与光纤阵列（FiberArray,FA）或激光器光源（CWLaser）之间的光耦合公差极度苛刻，通常要求在10纳米级别内进行六轴（X/Y/Z
高速数据中心与AI算力架构对光芯片高频测试的挑战随着AI大模型训练与数据中心网络的爆发式增长，光模块逐步向400G、800G及1.6T速率演进，作为核心器件的25G/56GVCSEL、DFB、EML激光器芯片及PD/APD探测器芯片面临着严苛的高频性能考核。在晶圆级（WaferLevel）或条形码级（BarLevel）状态下完成S参数、眼图质量、带宽及调幅特性的高精度自动化测试，是保障光芯片批