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中国电科十三所太赫兹（THz）频段固态器件与集成电路技术研究
中国电科十三所太赫兹固态器件与MMIC芯片研发进展
技术审核：张伟（微电子器件专家） | 发布日期：2026年8月7日
太赫兹（0.1THz - 10THz）频段处于微波与光学领域的交叉区域，在高速无线通信、深空探测、高分辨率成像以及安检领域具有巨大价值。中国电子科技集团公司第十三研究所作为我国半导体与固态微波技术的排头兵，长期致力于太赫兹肖特基二极管、高电子迁移率晶体管（HEMT）及太赫兹单片集成电路（MMIC）的研发，成功实现了数百吉赫兹频段固态放大与混频器件的自主可控。
下表展示了十三所太赫兹固态器件在不同工作频段下的核心技术指标与应用方向：
| 工作频段 | 核心器件/芯片类型 | 饱和输出功率/噪声系数 | 工艺平台特色 | 典型应用场景 |
|---|---|---|---|---|
| 100 GHz - 140 GHz | GaN 功率放大 MMIC / InP LNA | 输出功率 ＞ 1.0 W，噪声系数 ＜ 3.5 dB | 超短栅长化合物半导体工艺与空气桥互连 | 6G 超高速无线回传、近程高精度雷达成像 |
| 220 GHz - 300 GHz | InP HEMT 驱动放大器与肖特基混频器 | 变频损耗 ＜ 8.5 dB，输出功率 ≥ 20 mW | 亚微米气相外延生长与微米级减薄抛光 | 深空探测接收机、大气遥感探测系统 |
| 340 GHz 及以上 | 肖特基二极管三倍频器及亚毫米波检测器 | 倍频效率 ＞ 5%，响应度优良 | 平面肖特基二极管三维微结构与石英基板装配 | 人体无损安全检查、超高分辨率太赫兹光谱仪 |
依托超短栅长（微米及纳米级）加工与三维微结构装配工艺，十三所解决了太赫兹波段寄生效应严重的技术难题，使得太赫兹固态源与接收前端的集成度及可靠性大幅提升。
技术指标整理自太赫兹固态器件研究文献与公开学术成果，实际应用参数请提交工程图纸由技术团队核对。