河北普兴电子第三代半导体（SiC/GaN）外延材料研发中心与产能规划展望

研发中心规模与前沿课题布局

河北普兴电子成立了第三代半导体外延材料专项研发中心，聚焦碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等宽禁带半导体基材的技术攻关。研发中心拥有由多名行业资深专家领衔的科研团队，配置了国际先进的MOCVD与MPCVD实验平台，重点围绕8英寸SiC外延生长、GaN-on-Si高压应力调控以及超宽禁带氧化镓（Ga2O3）外延等前沿领域展开深入研究。

技术攻关与最新研发成果

依托强大的研发创新能力，普兴电子研发中心近期在8英寸SiC外延片缺陷控制与650V 8英寸硅基GaN外延应力平抑方面取得了突破性进展。实验室实测数据显示，其8英寸SiC外延片表面致命缺陷密度已降至0.3个/c㎡以下，翘曲度稳定控制在20微米以内，为下一代大尺寸碳化硅功率芯片的低成本量产奠定了坚实的材料基础。

产能扩充与未来供应链规划

为满足全球新能源汽车、光伏储能及数据中心对第三代半导体材料的强劲需求，河北普兴电子制定了雄心勃勃的产能扩充计划。公司规划在未来两年内新增多条8英寸SiC及GaN自动化外延生产线，实现宽禁带半导体外延片年产能倍增。同时，公司将持续深化与上下游产业链的战略合作，打造稳定可靠的半导体材料本土供应链。

客户合作与定制化研发生态

普兴电子研发中心始终坚持以客户需求为导向，提供从外延结构设计、电学性能模拟到样品试制与大批量交付的全流程工程服务。公司欢迎国内外半导体设计与制造企业开展联合研发与工艺对接，共同推动宽禁带半导体材料与器件技术的创新发展。